MOSFET驅動

MOSFET場效應管是電壓驅動器件，輸入有電容，因此為可靠驅動MOSFET，柵極需要施加較大的驅動電流。

功率MOSFET開關模型

該模型顯示了影響開關性能的最重要的寄生器件。

柵極所需驅動電流計算公式

一個很重要的參數(shù)是計算柵極驅動電流必須的：Qg
Ig=Qg/t
或
Ig=Qg*F
這2個公式實質是一樣的，時間和頻率互為倒數(shù)，所以一個乘，另一個除，實際使用，根據(jù)需要，任選一個即可。
Ig：柵極驅動電流
Qg：總柵極電荷，向柵極施加電壓（從零電壓到指定電壓）的電荷量
t：MOSFET場效應管開啟-關閉的時間
F：MOSFET場效應管的開關頻率

柵極峰值驅動電流會在瞬間使CISS充電或放電，然后在MOS開關開通時減小。
務必注意，即使在高溫下，驅動強度也不會顯著降低。
在高溫下，功率 MOSFET 內部柵極電阻會增加，這會減慢開啟和關閉速度。功率 MOSFET 的緩慢開啟和關閉可能會導致開關損耗增加。因此，在比較兩個柵極驅動器時，務必注意最大推薦工作溫度下的驅動電流能力。

柵極驅動電流調整

在輸出足以驅動MOSFET的情況下，可通過R柵極電阻來調節(jié)驅動電流
外部柵極電阻器，這個柵極電阻的值會極大地影響系統(tǒng)的性能。例如，如果系統(tǒng)使用 20Ω 外部柵極電阻器，則無論在 10V 偏置電壓下使用 2A 還是 3A 柵極驅動器，系統(tǒng)性能都可能不會受到顯著影響。還需要注意的是，即使由于驅動電流能力的差異較大而導致系統(tǒng)性能存在差異，也可以通過調整柵極電阻值來彌補這種差異。例如，可以將 3A 驅動器的10Ω 柵極電阻器更改為 2A 柵極驅動器的較低值電阻器或 4A 驅動器的較高值電阻器，以實現(xiàn)相同的功率器件上升和下降時間。

柵極驅動電壓

N溝低壓驅動的MOSFET根據(jù)需要，在柵極施加2-5V電壓可驅動，具體需要查詢規(guī)格書，以及你可以接受的RDS來確定。
N溝較大功率的MOSFET通常需要施加10-15V的驅動電壓，VGS以夠用為宜，超過閾值以后，VGS的增加RDS減小并不明顯，提高VGS意味著需要更大的驅動功率（驅動電流相同情況下）。
對于一些 MOSFET，柵極驅動電壓超過 8V 至 10V 并不會進一步減小 MOSFET 電阻（RDS-ON）。 10V 柵極驅動電壓時功耗相比12V柵極電壓減小了 16% （從 12V 減小至 10V），而得到的由柵極驅動的功耗減小了 28%。進一步可以看到由于柵極電壓減小，也降低了交越傳導損耗。

AO3400參數(shù)

30V N溝MOSFET
ID (at VGS=10V) 5.7A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 26.5m?
RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 32m?
RDS(ON) (at VGS = 2.5V) < 48m?

AO3400A柵極驅動電流計算

根據(jù)規(guī)格書，查詢到表格和圖中在VGS=4.5V, VDS=15V, ID=5.7A時Qg典型值為6nC，需要注意Qg是根據(jù)VDS和負載電流變化的
設開關頻率為100Khz，換算為0.1Mhz，這樣計算結果為mA，則6nC*0.1Mhz=0.6mA，所以在頻率不高的情況下，3400還是很容易驅動的，因為Qg很小。

AO3400A總柵極電荷Qg

AO3400柵極電荷特性

NCE7560K參數(shù)

這個MOSFET是國產的，參數(shù)優(yōu)秀，RDS比AO3400還小。
N溝增強形MOSFET
VDS=75V；ID=60A@ VGS=10V；RDS(ON)<8.5m? @ VGS=10V

NCE7560K參數(shù)表

NCE7560K柵極驅動電流計算

根據(jù)規(guī)格書，查詢到表格和圖中在VGS=10V, VDS=130V, ID=30A時Qg典型值為100nC，需要注意Qg是根據(jù)Vds和負載電流變化的
設開關頻率為100Khz，換算為0.1Mhz，這樣計算結果為mA，則100nC*0.1Mhz=10mA，該管Qg較小，驅動頻率不高，所以驅動電流不大。
通過這2個例子，可以看出，柵極所需驅動電流計算還是簡單的。

NCE7560K總柵極電荷

總柵極電荷典型值為100nC

NCE7560K柵極電荷特性